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碳化硅、SiC、石墨纸、石墨箔、SGL材料、高温技术、石墨粉、高纯石墨粉、6N超高纯、半导体级SiC
碳化硅、SiC、石墨纸、石墨箔、SGL材料、高温技术、石墨粉、高纯石墨粉、6N超高纯、半导体级SiC
石墨粉
西格里6N超高纯度石墨粉是专为第三代半导体碳化硅(SiC)单晶生长研发的核心原料,纯度达99.9999%(6N级),严格符合半导体行业对痕量杂质(硼、铝、钒等)的ppm级控制要求。本产品采用德国西格里集团专利提纯工艺,结合高温热化学处理技术,确保纳米级颗粒均匀性(D50≤1μm),适用于物理气相传输法(PVT)生长高质量SiC晶体,满足新能源汽车、5G通信、光伏等高端领域需求。核
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2024-04-30
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